全国2014年4月高等教育自学考试
电子技术基础(三)试题
课程代码：04730
请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。
选择题部分
注意事项：
1.答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸
规定的位置上。
2.每小题选出答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。不能答在试题卷上。
一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。未涂、错涂或多涂均无分。
1、以下关于无源元件的描述中，错误的是
A、电阻是无源元件 B、电感是无源元件
C、电容是无源元件 D、集成运放是无源元件
2、以下关于电流源的描述中，错误的是
A、电流源两端的电压大小由负载决定
B、理想电流源的内阻趋于无穷大
C、两个输出电流值不同的直流电流源可以串联在一起
D、理想电流源作用为零时，可等效为开路状态
4、若测得某晶体管放大电路中，晶体管的三个电极电位分别为8V、4V、3.4V，则可判断
该晶体管属于
A、npn硅管 B、npn锗管
C、pnp硅管 D、pnp锗管
5、在多级放大电路中，以下关于输入电阻和输出电阻的描述中，正确的是
A、输入电阻只取决于最后一级，输出电阻只取决于第一级放大电路的结构和参数
B、输入电阻只取决于第一级，输出电阻只取决于最后一级放大电路的结构和参数
C、输入电阻和输出电阻都只取决于第一级放大电路的结构和参数
D、输入电阻和输出电阻都只取决于最后一级放大电路的结构和参数
6、理想运算放大器虚短与虚断的具体含义是
A、虚短：i-=i+，虚断：u-=u+
B、虚短：u-=u+=0，虚断：i-=i+
C、虚短：i-=i+，虚断：u-=u+=0
D、虚短：u-=u+，虚断：i-=i+=0
7、反相比例运算电路的负反馈类型是
A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈
8、三端集成稳压器CW78M12输出的直流电流是
A、0.5A B、1A
C、1.5A D、2A
9、稳压二极管正常工作时的状态是
A、正向导通状态 B、反向截止状态
C、反向击穿状态 D、正向击穿状态
11、以下关于CMOS系列集成门电路说法中，正确的是
A、主要由场效应管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快
B、主要由场效应管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
C、主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快
D、主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
12、在决定一个事件的所有条件中，只要有一个或一个以上的条件具备时，这个事件就发生，则该逻辑是
A、逻辑与 B、逻辑乘
C、逻辑或 D、逻辑非
15、简单可编程逻辑器件PROM的结构特点是
A、与阵列和或阵列都固定 B、与阵列可编程，或阵列固定
C、与阵列固定，或阵列可编程 D、与阵列和或阵列都可编程
非选择题部分
注意事项：
用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上，不能答在试题卷上。
二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)
16、加在电容两端的电压变化越快，流过电容的电流就越________。
18、并联RLC电路谐振时，其输入阻抗呈现________特性。
19、双极型晶体管的基极电流可以控制晶体管的________电流。
20、放大器带负载能力越强，表明该放大器的输出电阻越________。
21、某场效应晶体管组成的放大电路，测得其栅源电压发生10mV变化时，漏极电流改变了0.2mA，则跨导参数gm=________mS。
22、为了降低集成运算放大器的零点漂移，提高共模抑制比，其输入级通常采用________电路。
23、若在单限电压比较器电路中引入正反馈，则这时的电压比较器称为________。
24、由硅稳压二极管组成的稳压电路，正常工作时，在负载电流不变、输入电压增大的情况
下，流过硅稳压二极管的电流Iz将________。
