2019一级注册结构工程师考点资料：电工电子技术6

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　　1、半导体是一种其导电能力介于 导体 与 绝缘体 之间的物质。

　　2、半导体分为 本征 半导体和 PN 型半导体。

　　3、本征半导体和杂质半导体中都存在 本征激发 现象，产生 自由电子 ，在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流(在常温下)。

　　4、在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 N 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 P 型杂质半导体。

　　5、在N型杂质半导体中，多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 。

　　6. 集成运放级间耦合方式是采用 多级直接 耦合。

　　7. 集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻 越小 ，带负载能力 越强 。

　　8、在P型杂质半导体中，多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。

　　9、N型半导体主要靠 自由电子 来导电，P型半导体主要靠 空穴 来导电。

　　10、PN结具有 单向导电 性，即加正向电压时，PN结 导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。

　　11、半导体二极管的两个主要参数是最大整流电流 和 最大反向工作电压 。

　　12、半导体二极管按其所使用的材料可分为 硅 管和 锗 管两类。

　　13、硅管的导通压降约为 0.7 V，锗管的导通压降约为 0.2 V。

　　14、半导体三极管分为 NPN 型和 PNP 型两类。

　　15、半导体三极管的结构分为三个区，分别是 发射 区、 基 区、 集电 区。

　　16、欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结 正 偏，同时使集电结 反 偏。

　　17、在放大电路中，晶体管的基极电流IB通常称为 偏置 电流，产生基极电流IB的电路称为 共基极 电路。

　　18、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 直流 通路，而作动态分析时，应作该放大电路的 交流 电路。

　　19、若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容引起输出信号失真。非线性失真分为 截止 失真和 饱和 失真。

　　20、硅管的死区电压约为 0.5 V，锗管的死区电压约为 0.1 V。

　　21、半导体二极管实质上就是一个PN 结，它具有的特性是 单向 导电性。

　　22.电路由 电源 、 负载 和中间环节三部分组成。

　　23.如果某一元件上的电压和电流的实际方向相反，那么这一元件是 电源 。

　　24、多级放大电路中级与级之间的耦合方式主要有 阻容 耦合和 直接 耦合。

　　25、在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 断路 ，而在画其交路时常将耦合电容视作 短路 。

　　26、三极管的三个电极分别称为 集电 极、 基 极、 发射 极，分别用字母C、B、E表示。

　　27、一个三极管有两个PN结，分别称为 发射 结和 集电 结。

　　28、三极管的输出特性曲线可分为三个工作区，分别为 饱和 区、截止 区、放大 区。

　　29、要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结 正 偏，同时使集电结 反 偏。

　　30、三极管具有开关特性：当三极管工作在饱和状态时，UCE ≈ 0 ，当三极管工作在截止状态时，UCE ≈ Ucc 。

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